近日，廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院的研究人員在平片藍(lán)寶石襯底上發(fā)展了一種結(jié)合濺射AlN緩沖層和精細(xì)生長(zhǎng)模式調(diào)控的新型技術(shù)路線，成功開(kāi)發(fā)出高質(zhì)量的AlN薄膜材料，其位錯(cuò)密度比傳統(tǒng)技術(shù)路線降低一個(gè)量級(jí)以上，為進(jìn)一步研發(fā)高性能AlN基器件奠定基礎(chǔ)。

該項(xiàng)工作部分結(jié)果以High-Quality AlN Film Grown on Sputtered AlN/Sapphire via Growth-Mode Modification為題發(fā)表在Crystal Growth & Design(物理學(xué)/晶體學(xué)SCI一區(qū))，并被半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際知名媒體雜志Semiconductor Today以Headline News的形式在線報(bào)道。

省半導(dǎo)體院何晨光博士為論文第一作者，陳志濤博士為論文通訊作者，該項(xiàng)工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和廣東省科學(xué)院創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展能力建設(shè)專(zhuān)項(xiàng)等項(xiàng)目的資助。

AlN作為第三代半導(dǎo)體代表性材料之一，是深紫外發(fā)光二極管、探測(cè)器的核心材料，在殺菌消毒、導(dǎo)彈探測(cè)等領(lǐng)域快速擴(kuò)展應(yīng)用。然而，由于大尺寸AlN單晶襯底存在價(jià)格昂貴、尺寸小、透射率低、國(guó)際禁運(yùn)的問(wèn)題，目前在藍(lán)寶石等襯底上通過(guò)異質(zhì)外延制備AlN基材料及器件是主要技術(shù)路徑。獲得高晶體質(zhì)量的異質(zhì)外延AlN基材料是高性能AlN基器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的關(guān)鍵。

（省半導(dǎo)體院 曹軍/供稿）