隨著現(xiàn)今主流的含汞紫外光源被禁止生產(chǎn)與銷售，新型固態(tài)環(huán)保紫外光源已逐漸成為剛需。AlGaN材料是發(fā)展無汞環(huán)保、便攜、低功耗、低電壓固態(tài)紫外光源的理想材料，而AlGaN基紫外光源性能的提升依賴于對(duì)AlGaN材料缺陷行為的理解和器件外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制備。
省半導(dǎo)體院研發(fā)人員在此前AlGaN基紫外光電材料及器件取得的系列進(jìn)展基礎(chǔ)上，進(jìn)一步借助正電子湮滅技術(shù)對(duì)AlGaN薄膜的點(diǎn)缺陷特性進(jìn)行了深入研究，發(fā)展利用高能電子束輻照等技術(shù)對(duì)材料近表面的點(diǎn)缺陷態(tài)進(jìn)行定向調(diào)控，相關(guān)成果近日以“Point-Defect Distribution and Transformation Near the Surfaces of AlGaN Films Grown by MOCVD”為題發(fā)表于《Journal of Physical Chemistry C》上，省半導(dǎo)體院劉寧煬博士為論文第一作者，陳志濤博士為論文的通訊作者。此外，在器件設(shè)計(jì)方面，研究表明具有Al組分漸變的AlxGa1-xN載流子收集層能有效地改善深紫外LED的空穴注入水平和輻射復(fù)合速率，顯著增強(qiáng)280納米深紫外光源的內(nèi)量子效率，相關(guān)部分成果近日以“Marked enhancement in the efficiency of deep ultraviolet light-emitting diodes by using a AlxGa1-xN carrier reservoir layer”為題發(fā)表于《Applied Physics Express》上。省半導(dǎo)體院賀龍飛為論文第一作者，陳志濤博士為論文通訊作者。
以上工作得到了國(guó)家及省自然科學(xué)基金、省科學(xué)院科技專項(xiàng)、珠江科技新星等項(xiàng)目的資助。
（省半導(dǎo)體院 劉寧煬/供稿）
論文鏈接:
JPCC: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.8b11807
APEX: https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab22df/pdf
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