藍(lán)光LED在照明等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，在藍(lán)寶石上采用異質(zhì)外延方法制備藍(lán)光LED是業(yè)界主流技術(shù)路線，然而該技術(shù)路線存在殘余應(yīng)變強(qiáng)、散熱性能差等瓶頸問(wèn)題，限制了器件性能的進(jìn)一步提升。

　　近日，省科學(xué)院半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院科研人員與華南師范大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)合作，利用草酸將重?fù)诫s的GaN外延層腐蝕掉(電化學(xué)腐蝕)，實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底的剝離，規(guī)避了傳統(tǒng)激光剝離方法存在的成本高、工藝復(fù)雜、良率低的問(wèn)題。在此基礎(chǔ)上制備的垂直結(jié)構(gòu)藍(lán)光LED具有殘余應(yīng)變小、散熱性能好、發(fā)光功率高、可穿戴的特點(diǎn)，有望應(yīng)用于低成本、高性能的新型照明領(lǐng)域。

　　相關(guān)研究成果以“Epitaxtial lift-off for freestanding InGaN/GaN membranes and vertical blue light-emittingdiodes”為題發(fā)表于《Journal of Materials Chemistry C》(工程技術(shù)一區(qū)top，2019年影響因子7.059)，半導(dǎo)體院為共同通訊作者單位，上述工作得到省科學(xué)院建設(shè)國(guó)內(nèi)一流研究機(jī)構(gòu)行動(dòng)專項(xiàng)資金項(xiàng)目的支持。

　　論文鏈接：https://doi.org/10.1039/D0TC01986K

　　選擇性電化學(xué)腐蝕制備剝離的無(wú)支撐InGaN/GaN多量子阱LED薄膜實(shí)驗(yàn)示意圖

　　（省科學(xué)院半導(dǎo)體院材料外延平臺(tái)/供稿）