近日，省科學(xué)院半導(dǎo)體所新型顯示團(tuán)隊(duì)針對(duì)研究開發(fā)基于垂直結(jié)構(gòu)Micro-LED的顯示屏幕技術(shù)開展了系列創(chuàng)新性研究，取得了進(jìn)展，相關(guān)研究成果發(fā)表在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域國(guó)際知名期刊IEEE Transactions On Electron Devices上。

　　顯示行業(yè)發(fā)展的過程是不斷拔高視覺感官體驗(yàn)閾值的過程，Micro LED憑借其自發(fā)光、高效率、低功耗、高穩(wěn)定等特性，被譽(yù)為“終極顯示技術(shù)”，在可穿戴電子器件、戶外顯示和AR/VR頭盔顯示等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。然而，現(xiàn)階段 Micro LED 仍存在許多技術(shù)瓶頸有待突破，其中利用巨量轉(zhuǎn)移方式制作Micro-LED顯示屏仍主要采用側(cè)向結(jié)構(gòu)Micro-LED芯片，但側(cè)向結(jié)構(gòu)在分辨率和發(fā)光面積上有所限制。而垂直結(jié)構(gòu)LED器件相比側(cè)向結(jié)構(gòu)LED在亮度及發(fā)光均勻性上更有優(yōu)勢(shì)，因此研究開發(fā)基于垂直結(jié)構(gòu)Micro-LED的顯示屏幕技術(shù)有著重要的意義。

可轉(zhuǎn)移硅基Micro-LED垂直結(jié)構(gòu)芯片制備

　　近日，研究人員發(fā)展了硅基垂直GaN Micro-LED芯片關(guān)鍵工藝，并結(jié)合低成本的膠帶輔助巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)和低溫金屬鍵合技術(shù)，首次制備出基于垂直結(jié)構(gòu)Micro-LED的陰極可單獨(dú)尋址的顯示原型器件，經(jīng)一系列表征結(jié)果顯示相關(guān)性能優(yōu)于傳統(tǒng)的側(cè)向結(jié)構(gòu)Micro-LED顯示器件。

硅基Micro-LED垂直結(jié)構(gòu)芯片顯示陣列及優(yōu)于平面結(jié)構(gòu)芯片的相關(guān)性能

　　相關(guān)研究成果以“Transfer Printed, Vertical GaN-on-Silicon Micro-LED Arrays With Individually Addressable Cathodes”為題，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域國(guó)際知名期刊IEEE Transactions  On Electron Devices上發(fā)表。

　　該研究工作得到了國(guó)家重點(diǎn)研究計(jì)劃項(xiàng)目和廣東省重大專項(xiàng)資金項(xiàng)目的支持。省科學(xué)院半導(dǎo)體所新型顯示團(tuán)隊(duì)李長(zhǎng)灝、潘章旭為共同第一作者，學(xué)科帶頭人龔政教授為通訊作者。

（省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所/供稿）